Ab initio study of the split silicon-vacancy defect in diamond: Electronic structure and related properties

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dc.contributor.authorMaze Ríos, Jerónimo
dc.date.accessioned2016-05-10T18:15:14Z
dc.date.available2016-05-10T18:15:14Z
dc.date.issued2013
dc.identifier.doi10.1103/PhysRevB.88.235205
dc.identifier.issn1098-0121
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.235205
dc.identifier.urihttps://repositorio.uc.cl/handle/11534/13691
dc.language.isoen
dc.nota.accesoContenido parcial
dc.relation.isformatofPhysical Review B No. 23 (88), p. 1-7.
dc.revistaPhysical Review Bes_ES
dc.rightsacceso restringido
dc.subject.ddc510
dc.subject.deweyMatemática física y químicaes_ES
dc.subject.otherSilicioes_ES
dc.subject.otherEstructura electrónicaes_ES
dc.subject.otherMecánica cuánticaes_ES
dc.titleAb initio study of the split silicon-vacancy defect in diamond: Electronic structure and related propertieses_ES
dc.typeartículo
sipa.codpersvinculados10674
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Ab initio study of the split silicon-vacancy defect in diamond.pdf
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