Inverse spin Hall effect in the semiconductor (Ga,Mn) As at room temperature

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dc.contributor.authorMendes, J.
dc.contributor.authorMello, S.
dc.contributor.authorAlves Santos, O.
dc.contributor.authorCunha, R.
dc.contributor.authorRodríguez Suárez, Roberto
dc.contributor.authorAzevedo, A.
dc.contributor.authorRezende, S.
dc.date.accessioned2020-07-02T23:20:03Z
dc.date.available2020-07-02T23:20:03Z
dc.date.issued2017
dc.fuente.origenConveris
dc.identifier.doi10.1103/PhysRevB.95.214405
dc.identifier.issn2469-9950
dc.identifier.issn2469-9969
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.214405
dc.identifier.urihttps://repositorio.uc.cl/handle/11534/31037
dc.issue.numeroNo. 21
dc.language.isoen
dc.pagina.final7
dc.pagina.inicio1
dc.revistaPhysical Review Bes_ES
dc.subject.ddc510
dc.subject.deweyMatemática física y químicaes_ES
dc.subject.otherAntiferromagnetismoes_ES
dc.subject.otherTermodinámicaes_ES
dc.subject.otherCampos magnéticoses_ES
dc.titleInverse spin Hall effect in the semiconductor (Ga,Mn) As at room temperaturees_ES
dc.typeartículo
dc.volumenVol. 95
sipa.codpersvinculados1005805
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