Raman analysis of ferroelectric switching in niobium-doped lead zirconate titanate thin films

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dc.contributor.authorFerrari Ramírez, Piero Antonio.
dc.contributor.authorRamos Moore, Esteban
dc.contributor.authorCabrera, Alejandro Leopoldo
dc.date.accessioned2016-05-10T18:17:00Z
dc.date.available2016-05-10T18:17:00Z
dc.date.issued2014
dc.identifier.issn0040-6090
dc.identifier.urihttps://repositorio.uc.cl/handle/11534/14345
dc.language.isoen
dc.nota.accesoContenido parcial
dc.relation.isformatofThin Solid Films (556), p. 539-543.
dc.revistaThin Solid Filmses_ES
dc.rightsacceso restringido
dc.subject.ddc510
dc.subject.deweyMatemática física y químicaes_ES
dc.subject.otherDispersión de partículases_ES
dc.subject.otherEspectroscopía por laserses_ES
dc.subject.otherElementos de transiciones_ES
dc.titleRaman analysis of ferroelectric switching in niobium-doped lead zirconate titanate thin filmses_ES
dc.typeartículo
sipa.codpersvinculados119740
sipa.codpersvinculados99388
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Raman analysis of ferroelectric switching in niobium-doped lead zirconate titanate thin films.pdf
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