Reconfigurable Electric Double Layer Doping in an MoS2 Nanoribbon Transistor

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dc.contributor.authorAlessandri Amenábar, Cristóbal
dc.contributor.authorFathipour, Sara
dc.contributor.authorLi, Huamin
dc.contributor.authorKwak, Iljo
dc.contributor.authorKummel, Andrew
dc.contributor.authorRemskar, Maja
dc.contributor.authorSeabaugh, Alan C.
dc.date.accessioned2021-05-22T01:10:53Z
dc.date.available2021-05-22T01:10:53Z
dc.date.issued2017
dc.format.extent6 páginas
dc.fuente.origenConveris
dc.identifier.doi10.1109/TED.2017.2767501
dc.identifier.issn0018-9383
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.1109/TED.2017.2767501
dc.identifier.urihttps://repositorio.uc.cl/handle/11534/58985
dc.issue.numeroNo. 12
dc.language.isoen
dc.nota.accesoContenido parcial
dc.pagina.final5222
dc.pagina.inicio5217
dc.revistaIEEE Transactions on Electron Deviceses_ES
dc.rightsacceso restringido
dc.titleReconfigurable Electric Double Layer Doping in an MoS2 Nanoribbon Transistores_ES
dc.typeartículo
dc.volumenVol. 64
sipa.codpersvinculados177643
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Reconfigurable Electric Double Layer Doping in an MoS2 Nanoribbon Transistor.pdf
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